Crucial Ballistix DDR4-3600 32GB 套條開箱

文章最後更新於: 2021 年 3 月 8 日 由 MIN 更新

由於虛擬機和軟體對記憶體的需求 , 日益遽增

去年的購入的平台

  • 西批U : AMD RYZEN R7-3700X
  • 主機板 : MSI X570 UNIFY
  • 記憶體 : HyperX Predator RGB DDR4-3200 Kit ( 2 x 8GB ) ( CJR )
  • 亮機卡 : MSI RTX 2060 GAMING 6G
  • 電供 : 海韻 FOCUS GX 750
  • 機殼 : 聯立 O11 Dynamic ( 黑 )
  • 西批 U 散熱器 : NZXT X62
  • 進氣風扇 : 迎廣 SIRUSLOOP 12cm * 3 ARGB

開機 Windows 占用 , 加上幾個軟體 , 開個 Chrome 就去了一半

這時再開個 VM 虛擬機 ( 為保持虛擬機流暢 , 記憶體開到 8GB )

容量不敷使用

加上 3200 Mhz 用 Memory Try It 超 3600 Mhz

時序不是很好看 ( 也懶得調 )

Gear Down Mode 也須開啟 , 才能穩定

讀寫性能雖然提升了

連帶導致記憶體的延遲提升 ( 心靈上也有感 )

所以買了新記憶體

順便把 NZXT X62 冷排上的風扇換成 Noctua NF-A14 lPPC-3000 PWM

開箱環節

購買的型號 : Crucial Ballistix 32GB Kit ( 2 x 16GB ) DDR4-3600 黑 ( BL2K16G36C16U4B )

購買的價格 : 4199 台幣

購買地點 : Autobuy 購物中心

不得已才在 Autobuy 買 ( 原價屋 , 欣亞都缺貨 , 代理商捷元好像也缺貨 )

外包裝 ( 代理商捷元貼紙在包裝後方 )

Crucial Ballistix 32GB Kit ( 2 x 16GB ) DDR4-3600

別信店家標籤上的敘述 ( 後面會說 )

附上兩條記憶體 SPD 內容 ( SERIAL NUMBER 已碼掉 , 軟體 : Thaiphoon Burner )

兩條記憶體 SPD 內容 ( Thaiphoon Burner 16.3.4.0 Build 1005 )

2021 年 2 月初發現 Thaiphoon Burner 識別問題 ( 看了拆解注意到 ) , 3月初更新勘誤

兩條記憶體 SPD 內容 ( Thaiphoon Burner 16.5.0.3 Build 0125 )

藉由

MEMORY MODULE 的 JEDEC DIMM LABEL

DRAM COMPONENTS 的 COMPOSITION

可知單面 8 個記憶體顆粒

單個記憶體顆粒為 2GB

DRAM COMPONENTS 的 Part Number 內容

C9BLG ( CT40A2G8VA-55M:B ) 此為 Thaiphoon Burner 識別錯誤

C9BLH ( CT40A2G8VA-050M:B )

由於 DRAM 顆粒製造商為美光

接著參考美光原廠記憶體顆粒命名方式

https://media-www.micron.com/-/media/client/global/documents/products/part-numbering-guide/numdram.pdf

Part Number 冒號後英文為修訂版本 ( 也就是玩家常說的 XXX-Die 顆粒 )

記憶體顆粒為 美光 B-DIE 或稱 美光 Rev. B

至於各大電商或實體店打著 E-Die 做行銷 ( E-Die 行銷 , 拿到 B-Die , 要哭還是要笑 )

就這樣算了吧

* 不排除軟體有 BUG , 讀取 SPD 內容錯誤

只想看手動超||>>點擊這裡跳轉<<||

CPU 開啟 PBO , CPU 電壓自動 ( 電壓覺得還行 )

摸透 CPU NB/Soc 電壓在不超過 1.2 V 的狀態下

這顆 3700X Infinity Fabric 的頻率 ( FCLK ) 上限為 1867 Mhz ( 穩定不崩,沒有爆音 )

先使用 Memory Try It ! 做為參考 ( 多圖警告 )

接著換上記憶體 , 開機 , BIOS 跳出更換過記憶體的提示 , 進入 BIOS , 設定億些值

進入進階模式
使用 Memory Try It
調整 UCLK 和 MEMCLK 模式
設定 FCLK 和 DRAM Frequency
進入進階記憶體選項
Memory Try It 後記憶體主參數已帶入
記憶體副參數Auto
記憶體副參數Auto
關閉 Gear Down Mode , Power Down Enable , TSME , DRAM Latency Enhance
其他更多記憶體參數
設定 CPU NB/Soc 電壓
使用 Memory Try It 後記憶體自動加壓

接著就 F10 儲存重開機

Debug Code 七段顯示器模組

沒卡 Code 真棒

在沒有細條時序的狀況下

延遲表現

使用 Memory Try It 的好處是一定能成功

壞處是時序給得很保守 ( 應該說保證能開機的時序 )

附上時序

( 後方文章使用 ZenTimings 顯示時序 )

此時 DRAM 電壓為 1.40 V

接著進行手動超

使用 DRAM Calculator for Ryzen 及 TestMem5 輔助

TestMem5 ( @1usmus v3 ) 做超頻的基本的穩定性測試

調一個時序燒一次機

過程中 BOSD 好幾次

有幾度還起不來 ( AMD 平台記憶體超頻容易起不來 )

改完一次BIOS選項 , 使用隨身碟保存新的 OcFile

清了無數次的 CMOS ( 還好我有保存在隨身碟 , 之前調的參數就不用重調 )

Part 1

調出相對緊的時序 , 70 ns 內還行

附上時序

此時 DRAM 電壓為 1.41 V

Part 2

經過多次努力延遲壓在 67.1 ns

附上時序

此時 DRAM 電壓為 1.42 V

上述超頻以同步 MCLK UCLK FCLK 為基礎

皆為 TestMem5 ( @1usmus v3 )

和 RunMemTest Pro 4.5 ( MemTestPro70 ) 400% 燒機過測

記憶體頻率可以超得更高 , 但 FCLK 跟不上

導致延遲和讀寫性能會受到一定的影響

尾巴

RYZEN 5000 系 CPU IOD 體質有好一點

看評測 FCLK 上 2000 沒甚麼大問題

應該是不會換

( 白嫖不到 , 錢錢也不夠 , 不會吧~不會吧~明示那麼清楚, 請站長多喝幾杯咖啡我就能買新 U 了 )

我是 MIN , 我們下次見

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