文章最后更新于: 2021 年 3 月 8 日 由 MIN 更新

由于虚拟机和软件对内存的需求 , 日益遽增

去年的购入的平台

• 西批U : AMD RYZEN R7-3700X
• 主机板 : MSI X570 UNIFY
• 内存 : HyperX Predator RGB DDR4-3200 Kit ( 2 x 8GB ) ( CJR )
• 亮机卡 : MSI RTX 2060 GAMING 6G
• 电供 : 海韵 FOCUS GX 750
• 机壳 : 联立 O11 Dynamic ( 黑 )
• 西批 U 散热器 : NZXT X62
• 进气风扇 : 迎广 SIRUSLOOP 12cm * 3 ARGB

开机 Windows 占用 , 加上几个软件 , 开个 Chrome 就去了一半

这时再开个 VM 虚拟机 ( 为保持虚拟机流畅 , 内存开到 8GB )

容量不敷使用

加上 3200 Mhz 用 Memory Try It 超 3600 Mhz

时序不是很好看 ( 也懒得调 )

Gear Down Mode 也须开启 , 才能稳定

读写性能虽然提升了

连带导致内存的延迟提升 ( 心灵上也有感 )

所以买了新内存

顺便把 NZXT X62 冷排上的风扇换成 Noctua NF-A14 lPPC-3000 PWM

开箱环节

购买的型号 : Crucial Ballistix 32GB Kit ( 2 x 16GB ) DDR4-3600 黑 ( BL2K16G36C16U4B )

购买的价格 : 4199 台币

购买地点 : Autobuy 购物中心

不得已才在 Autobuy 买 ( 原价屋 , 欣亚都缺货 , 代理商捷元好像也缺货 )

外包装 ( 代理商捷元贴纸在包装后方 )

别信店家标签上的叙述 ( 后面会说 )

附上两条内存 SPD 内容 ( SERIAL NUMBER 已码掉 , 软件 : Thaiphoon Burner )

2021 年 2 月初发现 Thaiphoon Burner 识别问题 ( 看了拆解注意到 ) , 3月初更新勘误

借由

MEMORY MODULE 的 JEDEC DIMM LABEL

和

DRAM COMPONENTS 的 COMPOSITION

可知单面 8 个内存颗粒

单个内存颗粒为 2GB

DRAM COMPONENTS 的 Part Number 内容

C9BLG ( CT40A2G8VA-55M:B ) 此为 Thaiphoon Burner 识别错误

C9BLH ( CT40A2G8VA-050M:B )

由于 DRAM 颗粒制造商为美光

接着参考美光原厂内存颗粒命名方式

https://media-www.micron.com/-/media/client/global/documents/products/part-numbering-guide/numdram.pdf

Part Number 冒号后英文为修订版本 ( 也就是玩家常说的 XXX-Die 颗粒 )

内存颗粒为 美光 B-DIE 或称 美光 Rev. B

至于各大电商或实体店打着 E-Die 做行销 ( E-Die 行销 , 拿到 B-Die , 要哭还是要笑 )

就这样算了吧

* 不排除软件有 BUG , 读取 SPD 内容错误

只想看手动超||>>点击这里跳转<<||

CPU 开启 PBO , CPU 电压自动 ( 电压觉得还行 )

摸透 CPU NB/Soc 电压在不超过 1.2 V 的状态下

这颗 3700X Infinity Fabric 的频率 ( FCLK ) 上限为 1867 Mhz ( 稳定不崩,没有爆音 )

先使用 Memory Try It ! 做为参考 ( 多图警告 )

接着换上内存 , 开机 , BIOS 跳出更换过内存的提示 , 进入 BIOS , 设定亿些值

接着就 F10 储存重开机

Debug Code 七段显示器模组

没卡 Code 真棒

在没有细条时序的状况下

延迟表现

使用 Memory Try It 的好处是一定能成功

坏处是时序给得很保守 ( 应该说保证能开机的时序 )

附上时序

( 后方文章使用 ZenTimings 显示时序 )

此时 DRAM 电压为 1.40 V

接着进行手动超

使用 DRAM Calculator for Ryzen 及 TestMem5 辅助

TestMem5 ( @1usmus v3 ) 做超频的基本的稳定性测试

调一个时序烧一次机

过程中 BOSD 好几次

有几度还起不来 ( AMD 平台内存超频容易起不来 )

改完一次BIOS选项 , 使用随身碟保存新的 OcFile

清了无数次的 CMOS ( 还好我有保存在随身碟 , 之前调的参数就不用重调 )

Part 1

调出相对紧的时序 , 70 ns 内还行

附上时序

此时 DRAM 电压为 1.41 V

Part 2

经过多次努力延迟压在 67.1 ns

附上时序

此时 DRAM 电压为 1.42 V

上述超频以同步 MCLK UCLK FCLK 为基础

皆为 TestMem5 ( @1usmus v3 )

和 RunMemTest Pro 4.5 ( MemTestPro70 ) 400% 烧机过测

内存频率可以超得更高 , 但 FCLK 跟不上

导致延迟和读写性能会受到一定的影响

尾巴

RYZEN 5000 系 CPU IOD 体质有好一点

看评测 FCLK 上 2000 没什么大问题

应该是不会换

( 白嫖不到 , 钱钱也不够 , 不会吧~不会吧~明示那么清楚, 请站长多喝几杯咖啡我就能买新 U 了 )

我是 MIN , 我们下次见